zega je napisao/la:
Dmeter je odradio due diligence, cim sam vidio da su poceli gurat ASIC (Application Specific Integrated Circuit) za BTC mining znao sam da je vrag odnio salu, time je bitcoin mining raturio moorov zakon na kratko sto je dosad nevidjeno:
http://www.coindesk.com/bitcoin-mining- ... oores-law/
Kasnije se vratio u okvire ali je imao spicu koja je bila izvan definicije Moore'ovog zakona...
Tako da ovako outsiderski komentari daj probaj "x"

probaj ti!
Slusaj dmetera i u velikoj vecini savjeta ces profitirat!
Da,tek danas imamo mobitele u 28nm litografiji
a ova 3 fab koji kao mogu??? raditi 14-16 nm litografiji i dalje rade na 22 nm
a treba uzeti u obziri da sami razmak između atoma kristala silicija je 0,5 nm nožice takvog čipa bi bile tanje od dlake kose a razmak bi bio djelić milimetra.a tada dolazimo do topline. je takvi čipovi bi bili na 0,2-0,3 volta ali sa strašnih 200-300 Ampera. treba ohladiti nešto sa ćipa veličine 0,4x0,4 cm 50-100W
ovi sada postojeći asici rade na 100-120° C sa 1x1 cm
uglavnom da je to moguće već bi intel ili ADM krenija proizvoditi barem serverske i high end procesore na 14-16 nm.a da ne govorim o mobitelima. intel bi možda mogao proizvesti čipove za mobitele na 14-16 nm ali on ne zna dizajnirati procesor za mobitel.
14 nm resolution is difficult to achieve in a polymeric resist, even with electron beam lithography. In addition, the chemical effects of ionizing radiation also limit reliable resolution to about 30 nm, which is also achievable using current state-of-the-art immersion lithography. Hardmask materials and multiple patterning are required.
A more significant limitation comes from plasma damage to low-k materials. The extent of damage is typically 20 nm thick,[1] but can also go up to about 100 nm.[2] The damage sensitivity is expected to get worse as the low-k materials become more porous.
For comparison, the lattice constant, or distance between surface atoms, of unstrained silicon is 543 pm (0.543 nm). Thus fewer than thirty atoms would span the channel length, leading to substantial leakage.